获取优惠价格

Tel:19337881562

产品列表

新闻中心

碳化硅溶化点

碳化硅_化工百科 - ChemBK

2024年1月2日中文名:碳化硅,英文名:Silicon Carbide (Black),CAS:409-21-2,化学式:CSi,分子量:40.1,密度:3.22 g/mL at 25 °C (lit.),熔点:2700 °C (lit.),沸点:2700℃,水溶性:Soluble in molten 首先，碳化硅不易熔化，由于其熔点高，在高温条件下仍能保持原来的固态。其次，碳化硅因其熔点高，在生产高温部件或电子产品方面具有重要优势。揭开碳化硅熔点的神秘面纱 - 亚菲特

碳化硅简介 - 知乎

2020年12月7日表 1 碳化硅主要性能指标. SiC包括250多类同素异构体，其中比较重点的有两种晶型：即β-SiC和α-SiC。如果用SiC制备半导体，通过其自身具有的特性来减少电子器件自身碳化硅（SiC）的熔点约为 2,730°C 。之所以能达到如此高的熔点，是因为碳化硅晶格中的碳原子和硅原子之间的结合力很强，从而造就了碳化硅卓越的热性能。什么是碳化硅熔点？4 个重要见解 - Kintek Solution

碳化硅理化性能及应用速览 - ChemicalBook

碳化硅理化性能及应用速览. 2021/10/21 13:12:01. 今年发布的“‘十四五’规划和2035年远景目标纲要”提出，我国将加速推动以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程，催生一批高速成长的新材料企业。. 碳化硅材 2021年2月25日 1.碳化硅（SiC)为共价键化合物。碳化硅晶体结构中的单位晶胞是由相同四面体构成的，主要晶型是α-型和β-型两种。α-SiC为高温稳定型，β-SiC为低温稳定型。β-SiC向α 碳化硅与二氧化硅谁更稳定？熔沸点呢？ - 知乎

终于有人把碳化硅（SiC）是什么，有哪些用途和优势说明白了

2024年9月23日碳化硅（SiC）是怎么制成的？最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 SiC 2016年12月15日现行使用的不熔化方法有空气不熔化、辐射交联、化学气相交联等。其中空气不熔化法是最早用于连续碳化硅纤维的交联方法。该方法的不足是通过空气中的O 与纤维的 Si-H 直接反应形成交联结构。复合材料的筋骨：连续碳化硅纤维 - 首页-中国科学院宁波材料 ...

带你全方位了解碳化硅(SiC) - ROHM技术社区

2019年7月18日碳化硅（SiC）属于第三代半导体材料，具有1X1共价键的硅和碳化合物，其莫氏硬度为13，仅次于钻石（15）和碳化硼（14）。 ... 千辛万苦研发出来的SiC器件，和Si器件相比到底哪点好？苏勇锦认为主要有以下三点： 1 碳化硅坩埚的应用领域如下：金属冶炼和冶金：用于冶金工业中的金、银、铜、铝、铅、锌等有色金属和合金。当纯度和容器需要耐高温时，它还可用于冶炼中碳钢和其他稀有金属。陶瓷和玻璃工业：由陶瓷材料组成，适合在高温下烧制碳化硅坩埚：主要用途和优点 - 亚菲特

碳化硅是第三代半导体重要的材料-科学指南针 - 知乎

2023年12月4日一、碳化硅的前世今生碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍;用以制成的高级耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高 ...2020年4月24日碳化硅（又名：碳硅石、金钢砂或耐火砂），化学简式：SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种耐火材料。碳化硅在大自然也存在于罕见的矿物，莫桑石中。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经碳化硅 - 知乎

熔盐去除反应烧结碳化硅陶瓷表面硅瘤的方法与流程 - X技术网

2021年7月13日本发明涉及碳化硅陶瓷的表面处理，特别是涉及反应烧结碳化硅陶瓷表面残留硅瘤点的去除。背景技术：碳化硅陶瓷作为一种人工合成的材料，有着良好的化学稳定性，不易被酸碱腐蚀以及氧化，同时有着良好的结构性能，被广泛应用于诸多领域，如石油、化工、机械、电子、航天航空等。2020年3月31日碳化硅是由碳原子和硅原子以共价键为主相结合而构成的化合物。共价键是四种基本的键型（离子键、共价键、金属键、分子键）中结合力最强的一种，再加上碳原子与硅原子相互作用成键时，发生了电子在壳层上的转移，形成了键能更为坚强的SP3杂化轨道，这就是碳化硅形成类金刚石的结构、具有 ...碳化硅的结构-碳化硅的结晶结构 - Silicon Carbide

SiC纳米包覆颗粒烧结行为的分子动力学模拟

2022年10月11日碳化硅（SiC）制备在核燃料研究中具有重要意义，例如新型事故容错核燃料采用SiC作为关键基体材料。研究SiC纳米包覆颗粒的烧结行为对优化新型核燃料基体材料制备工艺具有指导意义。该文根据纳米颗粒熔点变化规律，验证了Tersoff势函数进行SiC分子动力学模拟的可行性和模型参数的准确性；考察 ...2024年9月27日针对电子束选区熔化增材制造过程中扫描速度及温度变化快的特点，设计了一种多点同步测温系统。选取K型热电偶、PIC18F26K80单片机设计了温度采集模块，通过ADM2587E构建了多个温度采集模块与上位机之间的RS-485通信网络，采用LabVIEW软件设计了电子束选区熔化增材制造多点同步测温系统 - 汉斯出版社

碳化硅特性 - 百度文库

黑色和绿色这2种碳化硅的机械性能略有不同,绿色碳化硅较脆,制成的磨具富于自锐性;黑碳化硅较韧。碳化硅结晶结构是一种典型的共价键结合的化合物，自然界几乎不存在。碳化硅晶格的基本结构单元是相互穿插的SiC4和CSi4四面体。具体来说，在低温下，碳化硅的导热主要由晶格点的声子传导实现。晶格点的振动频率与晶格结构以及原子种类有关，不同的振动模式对应不同的声子能量。随着温度的升高，声子的平均能量也增大，从而导致声子- 声子散射的发生。此时，碳化硅中声子 ...碳化硅温度与导热系数_百度文库

重结晶碳化硅烧成中碳化硅的分解现象、热力学条件及对蒸发 ...

3.3 碳化硅的分解对碳化硅蒸发与凝聚的影响分析试验与生产经验都表明，当重结晶碳化硅成品未出现表层沉积碳时，其蒸发凝聚完全。当有表层沉积碳且较严重时，电镜试验往往可以看到蒸发不完全的现象。说明碳化硅的分解对碳化硅蒸发与凝聚有明显的影响。1999年4月27日通过以上讨论看出碳化硅材料的钝性氧化动力学是一个较复杂的问题.虽然钝性氧化速度非常慢，一般不影响碳化硅使用，但对孔隙较多的碳化硅制品，会发生内部晶界氧化，产生的SiO2 导致晶界处体积膨胀，膨胀应力将会导致碳化硅制品破坏.另外由于碳化硅的钝碳化硅(SiC)基材料的高温氧化和腐蚀 - 豆丁网

碳化硅的化学性质 - 百度知道

2009年7月20日碳化硅的化学性质碳化硅的化学性质可以概括如下：1. 碳化硅和碱：通常情况下，碳化硅不与碱反应。它是一种非金属材料，相对稳定，不容易被碱侵蚀。因此，碱性溶液一般不会对碳化硅产生显著的化学反应。这是因为碳化2018年1月26日碳化硅材料导热系数和热膨胀系数与温度的关系.pdf,华南理工大学学报自然科学版第卷第期年月 ’ 材料导热系数和热膨胀系数与温度关系吴清仁文璧漩华南理工大学无机材料科学与工程系。摘要研究冷等静压材料导热系数和热膨胀系数与温度的关系结果表碳化硅材料导热系数和热膨胀系数与温度的关系.pdf - 原创力文档

碳化硅(SiC)在耐火材料中的应用 - 知乎

2021年11月23日 1、碳化硅(SiC) 在定形耐火材料中的应用在定形耐火材料中，SiC既可以作为主成分制成SiC制品，也可以作为添加成分制成半SiC质制品。SiC质耐火材料是指以工业SiC为原料经烧制而成的一种以SiC为主成分的高级耐火材料，亦叫SiC制品。SiC制品可按SiC ...2024年9月23日碳化硅（SiC）是怎么制成的？最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 SiC 晶体是无色的，是碳化硅在 2700 摄氏度升华时形成的。终于有人把碳化硅（SiC）是什么，有哪些用途和优势说明白了

电子束选区熔化增材制造多点同步测温系统 - hanspub

2023年11月1日因此，准确监测和控制电子束选区熔化成形过程中的温度分布和温度变化对于提高制件的质量和性能至关重要。在电子束选区熔化过程中，电子束在粉末层上进行逐层扫描，选择性熔化粉末材料，因此温度监测需要对电子束扫描面的多点温度分布进行同步采集。2023年6月23日氧化层的厚度大约2纳米，可以阻止内部碳化硅进一步被氧化，起到保护碳化硅的作用。碳化硅负载的贵金属纳米颗粒具有独特的催化作用，这种独特性与金属和碳化硅间的电子转移有很大关系。因此，在负载金属之前有时候需要用氢氟酸洗掉碳化硅表面的氧化层。科学网—碳化硅表面氧化产生的意外结果 - 郭向云的博文

碳化硅导热性简介 - 亚菲特

碳化硅具有高导热性和优异的电子特性，因此被广泛应用于电子领域，尤其是功率器件。热管理：由于具有出色的导热性，碳化硅通常用于散热器、导热垫等热管理应用中。半导体工业：在半导体工业中，通常利用碳化硅的导热性来提高半导体器件的性能。运用分子动力学方法对比模拟研究了碳化硅的体熔化、表面熔化和晶体生长过程.分别采用MEAM 势和Tersoff势两种势函数描述碳化硅.结果表明:体熔化时,两种势函数描述的SiC的原子平均能量、Lindemann指数和结构有序参数与温度的变化关系相似,但MEAM势对应的 ...MEAM势与Tersoff势比较研究碳化硅熔化与凝固行为 - 物理学报

碳化硅（SIC）晶体生长方法之——物理气相沉积法

2023年10月30日与传统蒸镀方式不同，电子束蒸镀利用电磁场的配合可以精准地实现利用高能电子轰击坩埚内靶材，使之融化进而沉积在基片上。电子束蒸镀常用来制备Al、CO、Ni、Fe的合金或氧化物膜，SiO2、ZrO2膜，抗腐蚀和耐高 2023年6月26日液相法一般采用石墨坩埚，一方面是因为其耐高温、抗腐蚀，另一方面是其可以为晶体生长提供C源。在石墨坩埚中放置硅原料以及一些掺杂物，由于坩埚壁处的温度高，籽晶杆处的温度低，石墨坩埚中的C溶解后就会在籽晶处和融化后的Si结合，形成碳化硅晶体。碳化硅长晶技术进展 - 百家号

易被人忽视的误区——碳化硅 - 知乎

2023年9月12日碳化硅（Sic）作为一种宽禁带半导体，比硅(Si)具有更多的优势，但由于是种新技术，对其的了解不全面导致有关它的误解仍有很多。有人认为：明明碳化硅的优势很多，但一直推广不利，而造成其的原因之一就是解决方案2022年6月22日 1.本发明涉及半导体晶片贴蜡技术领域，特别涉及一种碳化硅晶片贴蜡方法和辅助贴蜡装置。背景技术： 2.目前在碳化硅晶片的上游贴蜡加工领域，传统的贴蜡装置需经过加热、上蜡、贴片、压片、下蜡等多个步骤，效率低。尽管市面上也已有效率较高的自动贴片设备，但该设备价格高昂，且在前期 ...一种碳化硅晶片贴蜡方法和辅助贴蜡装置与流程

一文了解碳化硅(SiC)半导体结构及生长技术 - 电子发烧友网

2024年1月14日好，硬度大（莫氏硬度为9.5级，仅次于世界上最硬的金刚石（10级））、导热性能优良、高温抗氧化能力强等。由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。第三代半导体指的是SiC、GaN、ZnO、金刚石（C）、AlN等具有宽禁带（Eg＞22015年5月24日工业上所用的碳化硅，在其制备、运输和储存的过程中不可避免地要使其表面发生氧化，这造成不同厂家所生产的碳化硅微粉的表面氧化程度不同，从而使不同品牌的碳化硅的分散性不同，因此研究碳化硅的氧含量对碳化硅的等电点及分散性的影响对改善碳化硅的7对碳化硅粉料的等电点和分散性的影响 - 豆丁网

第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 - 知乎

2019年9月5日以下为国内碳化硅产业主要公司：山东天岳：单晶衬底，量产四英寸单晶衬底，独立自主开发6英寸衬底技术。天科合达：单晶衬底，国内首家建立完成碳化硅生产线、实现碳化硅晶体产业化的公司，量产2-4英寸晶片。2021年1月14日常压烧结碳化硅陶瓷具有强度高、韧性好的特点，作为防弹装甲材料，其抗多次打击性能非常好，因而整体的防护效果优于普通的碳化硅陶瓷，用于圆柱状陶瓷体轻质防护装甲中，其破碎点可达到6.5 吨以上，防护效果明显优于使用普通碳化硅陶瓷的圆柱状陶瓷体常压烧结碳化硅技术产业化-青岛科技大学淄博研究院 - QUST

碳化硅分解温度_百度文库

碳化硅分解温度- 综上所述，碳化硅的分解温度受到晶型、晶粒尺寸、杂质含量等因素的影响。控制这些因素可以调控碳化硅的分解温度，从而满足不同领域对高温耐材料的需求。未来的研究可以进一步探究碳化硅分解温度的影响机制，优化制备工艺 ...

在线留言

首页

Tel

联系我们

QQ